EM88F794N是一款配备直流风扇电机驱动器的 8 位低成本高性能 MCU

来源: 日期:2021-12-1

EM88F794N

EM88F794N 是一款配备直流风扇电机驱动器的 8 位低成本高性能 MCU。 EM88F794N 是一款采用低功耗、高速 CMOS 技术设计和开发的微处理器。它具有片上 4K x 16 位电子闪存。可以执行各种 PWM 操作的定时器以 32 MHz 的最大分辨率运行,并具有多种功能,例如带死区时间的 PWM(互补 PWM 3 通道)输出功能、6 相 PWM 输出功能、直流逆变器实时间输出功能,并可进行变频器控制。 MCU 设计为具有成本效益的处理器,可提供优化的性能,是直流电机驱动应用的理想选择。 EM88F794N 的建设性功能激发了对驱动直流电机的更多创新产品的各种新创意的探索。调试功能内置于 EM88F794N 芯片中。用户可以从 OCDS 端口读取程序代码,并在计算机上监控片上寄存器状态、内存和程序跟踪日志。使用 OCDS,用户可以为几种闪存类型的 ELAN IC 开发他们的程序

 

CPU配置
4K x 16 位闪存
(48+256) 字节通用寄存器
超过 10 年的数据保留
用于子程序嵌套的 8 级堆栈
8 x 8 乘法器
5V/32MHz 时小于 6mA
通常为 1 μA,在睡眠模式期间
上电复位 2.1V
三个可编程欠压复位:BOR:4.6V、3.9V、2.8V
三个可编程电平电压检测器:LVD:4.7V、4.1V、3.0V
四种 CPU 操作模式(正常、绿色、空闲、睡眠)

I/O 端口配置
3个双向I/O口:P5~P7
3个可编程引脚变化唤醒端口:P5~P7
3个可编程下拉I/O口:P5~P7
3个可编程上拉I/O口:P5~P7
3个可编程开漏I/O口:P5~P7
3个可编程高灌/驱动I/O端口:P5~P7

工作电压范围
-40°C~+125°C 时为 3.0V~5.5V(工业级)

工作频率范围
高内部 RC 振荡器 (HIRC):20MHz、24MHz、28MHz 和 32MHz
低内部 RC 振荡器 (LIRC):16KHz & 128KHz

外围配置
四个 16 位定时器 (TM1/TM2/TM3/TM4) 具有七种模式:定时器/计数器/捕捉/窗口/蜂鸣器/PWM/PDO(可编程分频器输出)模式
6+1 通道模数转换器,12 位分辨率:通道之一是 1/2 VDD 电源检测、ADC 缓冲模式、掉电(睡眠)模式
两个比较器:比较器2具有迟滞功能
1 个 16 位 PWM:三组带死区的脉宽调制(PWM)互补输出
1 个 16 位 PWM/捕捉
高 EFT/ESD 抗扰度

31 个可用中断:(11 个外部中断,20 个内部中断)
外部中断:EINT0、EINT1
TM1、TM2、TM3、TM4溢出中断
TM5、TM6 期间/值班匹配完成
输入端口状态改变中断
ADC 完成中断
LVD中断
比较器 1~2 中断
系统保持中断
PWM刹车中断
霍尔边沿中断

单指令周期命令

可编程自由运行看门狗定时器
看门狗定时器:16.5ms±5% with VDD=5V at 25°C, 温度范围 ±7.5% (-40°C~+125°C)
每个指令周期两个时钟

引脚配置

 

                  Figure 3-1 EM88F794N TSSOP-20 Pin Assignment

 

引脚配置说明

 

名称

功能

输入类型

输出类型

说明

VDD

VDD

电源

-

电源

VSS

VSS

电源

-

地面

 

 

P50/PWMCB/C1OUT

 

P50

 

ST

 

CMOS

具有可编程功能的双向 I/O 引脚

下拉、高拉、开漏和引脚变化唤醒

PWMCB

-

CMOS

通道C的互补PWM输出

C1OUT

-

CMOS

比较器 1 输出

 

 

P51/PWMC/C2OUT

 

P51

 

ST

 

CMOS

具有可编程功能的双向 I/O 引脚

下拉、高拉、开漏和引脚变化唤醒

PWMC

-

CMOS

通道C的PWM输出

C2OUT

-

CMOS

比较器 2 输出

 

 

 

P52/INT1/TM4/2W_SCL

 

P52

 

ST

 

CMOS

具有可编程功能的双向 I/O 引脚

下拉、高拉、开漏和引脚变化唤醒

INT1

ST

-

外部中断 1

TM4

ST

CMOS

16 位定时器/计数器 4

2W_SCL

ST

CMOS

片上调试系统时钟引脚

 

P53/PWMA

 

P53

 

ST

 

CMOS

具有可编程功能的双向 I/O 引脚

下拉、高拉、开漏和引脚变化唤醒

PWMA

 

CMOS

通道A的PWM输出

 

P54/PWMAB

 

P54

 

ST

 

CMOS

具有可编程功能的双向 I/O 引脚

下拉、高拉、开漏和引脚变化唤醒

PWMAB

 

CMOS

通道A的互补PWM输出

 

P55

 

P55

 

ST

 

CMOS

具有可编程功能的双向 I/O 引脚

下拉、高拉、开漏和引脚变化唤醒

 

 

P56/EHAC

 

P56

 

ST

 

CMOS

具有可编程功能的双向 I/O 引脚

下拉、高拉、开漏和引脚变化唤醒

EHAC

ST

-

霍尔传感器输入

 

P57/ADC5

 

P57

 

ST

 

CMOS

具有可编程功能的双向 I/O 引脚

下拉、高拉、开漏和引脚变化唤醒

ADC5

AN

-

ADC 输入 5

 

名称

功能

输入类型

输出类型

说明

 

 

 

P60/INT0/TM3/2W_SDA

 

P60

 

ST

 

CMOS

具有可编程下拉、上拉、开漏和引脚变化的双向 I/O 引脚

INT0

ST

-

外部中断 0

TM3

ST

CMOS

16 位定时器/计数器 3

2W_SDA

ST

CMOS

片上调试系统数据引脚

 

P61/EHAB

 

P61

 

ST

 

CMOS

具有可编程下拉、上拉、开漏和引脚变化的双向 I/O 引脚

EHAB

ST

-

霍尔传感器输入

 

 

P62/ADC4/C2-

 

P62

 

ST

 

CMOS

具有可编程功能的双向 I/O 引脚

下拉、上拉、开漏和引脚变化唤醒

ADC4

AN

-

ADC 输入 4

C2-

AN

-

比较器 2 的反相端

 

 

P63/PWMBB

 

P63

 

ST

 

CMOS

双向 I/O 引脚,具有可编程下拉、上拉、开漏和

引脚变化唤醒

PWMBB

-

CMOS

通道B的互补PWM输出

 

P64/PWMB

 

P64

 

ST

 

CMOS

具有可编程下拉、上拉、开漏和引脚变化的双向 I/O 引脚

PWMB

-

CMOS

通道B的PWM输出

 

 

 

P65/EHAA/VREF/C2+

 

P65

 

ST

 

CMOS

具有可编程功能的双向 I/O 引脚

下拉、上拉、开漏和引脚变化唤醒

爱荷华

ST

-

霍尔传感器输入

VREF

AN

-

ADC 参考电压

C2+

AN

-

比较器 2 的同相端

 

 

 

 

P66/TM2/ADC1/C1-/RESET

 

P66

 

ST

 

CMOS

双向 I/O 引脚,具有可编程下拉、上拉、开漏和

引脚变化唤醒

TM2

ST

CMOS

16 位定时器/计数器 2

ADC1

AN

-

ADC 输入 1

C1-

AN

-

比较器 1 的反相端

重置

ST

-

 

 

名称

功能

输入类型

输出类型

说明

 

 

 

 

P67/PWME/TM1/ADC0/C1+

 

P67

 

ST

 

CMOS

具有可编程下拉、上拉、开漏和引脚变化唤醒功能的双向 I/O 引脚

PWME

-

CMOS

通道E的PWM输出

TM1

 

-

16 位定时器/计数器 1

ADC0

AN

-

ADC 输入 0

C1+

AN

-

比较器 1 的同相端

 

P70/ADC2

 

P70

 

ST

 

CMOS

具有可编程下拉、上拉、开漏和引脚的双向 I/O 引脚

改变唤醒

ADC2

AN

-

ADC 输入 2

 

 

P71/ADC3/RCOUT

 

P71

 

ST

 

CMOS

具有可编程下拉、上拉、开漏和引脚变化唤醒功能的双向 I/O 引脚

ADC3

AN

-

ADC 输入 3

RCOUT

-

CMOS

谐振振荡器的时钟输出

功能框图

 

包装

Figure C-1 EM88F794N 20-pin TSSOP Package Type

订购和制造信息

例如: EM88F794NTS20J EM88F758NTS20J 带闪存程序存储器,工业级产品,采用 20 引脚 TSSOP 封装,符合 ROHS

集成电路标志

质量保证和可靠性

测试类别

测试条件

备注

 

可焊性

焊接温度 = 245±5°C,使用松香型助焊剂持续 5 秒直到塞子

 

 

 

 

 

 

前提条件

步骤 1TCT,65°C(15 分钟)~150°C(15 分钟),10 个循环

 

 

 

 

 

SMD IC(如SOP、QFP、SOJ等)

第 2 步在 125°C 下烘烤,TD(耐力)=24 小时

第 3 步在 30°C/60% 下浸泡,TD(耐力)=192 小时

第 4 步IR 流 3 个循环(Pkg 厚度 ³ 2.5mm 或

包装体积 ³ 350 mm3 225±5°C)

(Pkg 厚度 & 2.5 毫米或

Pkg 体积   350 mm3 240±5°C )

温度循环测试

-65°C (15mins)~150°C (15min), 200 个循环

 

 

压力锅测试

TA =121°C,RH=100%,压力 = 2 atm,TD(耐力)= 96 小时

 

高温/高湿测试

TA=85°C , RH=85% , TD (endurance)=168 , 500 hrs

 

高温储存寿命

TA=150°C,TD(耐力)=500,1000 小时

 

高温工作寿命

TA=125°C,VDD=最大值。工作电压,TD(耐力)=168, 500, 1000 hrs

 

闩锁

TA=25°C,VDD=最大值。工作电压,800mA/40V

 

 

ESD (HBM)

 

TA=25°C,³ | ± 4KV |

IP_ND,OP_ND,IO_ND IP_NS,OP_NS,IO_NS IP_PD,OP_PD,IO_PD, IP_PS,OP_PS,IO_PS, VDD-VSS(+),

VDD_VSS(-) 模式

 

 

ESD (MM)

 

 

TA=25°C,³ | ± 400V |

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