义隆单片机MCU8位微控制器EM78P173N开发技术详细说明

CPU 配置

-1K´13 位片上 ROM

-48 8 位片上寄存器 （SRAM，通用）

-5 级堆栈用于子程序嵌套

-4 可编程电平电压检测器 LVD : 4.5, 4.0, 3.3, 2.2V

-3 可编程电平电压复位 LVR : 4.0, 3.5,  2.7V

-在 5V/4MHz 时小于 1.5mA

-通常为 15 μA，3V/32kHz

-通常为 1 µA，在睡眠模式期间

I/O 端口配置

-2 个双向 I/O 端口：P5, P6

-12 个 I/O 引脚

-唤醒端口： P6

-7 可编程下拉 I/O 引脚

-7 个可编程上拉 I/O 引脚

-7 个可编程开漏 I/O 引脚

-带唤醒功能的外部中断： P60

工作电压范围：

-2.1V~5.5V at 0~70°C(商业)

-2.3V~5.5V at -40~85°C(工业)

工作频率范围（基于 2 个时钟）：

-水晶模式：DC~20MHz/2clks @ 5V DC~8MHz/2clks @ 3V DC~4MHz/2clks @ 2.1V

-ERC 模式：

DC~2 MHz/2clks @ 2.1V

-IRC 模式：

	漂移率
内部 RC 频率	温度（-40°C~85°C）	电压	过程	总计
4 兆赫	+ 1%	+ 3% *(2.1~5.5V)	+ 2%	+ 6%
16 兆赫	+ 1%	+ 1% *(4.0~5.5V)	+ 2%	+ 4%
8 兆赫	+ 1%	+ 2% *(3.0~5.5V)	+ 2%	+ 5%
1 兆赫	+ 1%	+ 3% *(2.1~5.5V)	+ 2%	+ 6%

* 工作电压范围

外设 配置

-8 位实时时钟/计数器 (TCC)，具有选择性信号源、触发沿和溢出中断

-外部中断输入引脚

由代码选项选择的每个指令周期-2/4个时钟

-掉电（睡眠）模式

-高 EFT 免疫力

四个可用的中断：

-TCC溢出中断

-输入端口状态改变 中断

-外部中断

-低电压检测中断

特殊功能

-可编程自由运行看门狗定时器

-提供开机电压检测器 (1.8~1.9V)

包类型：

-14-piDIP 3亿： EM78P173ND14

-14-pin SOP 150mil   :  EM78P173NSO14

-10-pin MSOP 118mil  : EM78P173NMS10

注意：这些都是不含有害物质的绿色产品

引脚分配

(1) 14-Pin DIP/SOP

(1) 10-Pin MSOP

引脚说明

名称	功能	输入类型	输出类型	说明
P50~P52	P50~P52	ST	CMOS	具有可编程下拉功能的双向 I/O 引脚。
P53	P53	ST	CMOS	双向 I/O 引脚
P60//INT	P60	ST	CMOS	具有可编程下拉、开漏、上拉和引脚变化唤醒功能的双向 I/O 引脚。
	/INT	ST	-	外部中断引脚
P61	P61	ST	CMOS	具有可编程下拉、开漏、上拉和引脚变化唤醒功能的双向 I/O 引脚。
P62/TCC	P62	ST	CMOS	具有可编程下拉、开漏、上拉和引脚变化唤醒功能的双向 I/O 引脚。
	TCC	ST	-	实时时钟/计数器时钟输入
P63//重置	P63	ST	CMOS	具有可编程下拉和引脚变化唤醒的双向 I/O 引脚。 （开漏）
	/重置	ST	-	外部上拉复位引脚
P64/OSCO/RCOUT	P64	ST	CMOS	具有可编程开漏、上拉和引脚变化唤醒功能的双向 I/O 引脚。
	OSCO	-	XTAL	晶体/谐振器的时钟输出
	RCOUT	-	CMOS	内部RC振荡器的时钟输出外部RC振荡器的时钟输出（open-drain）
P65/OSCI/ERCin	P65	ST	CMOS	具有可编程开漏、上拉和引脚变化唤醒功能的双向 I/O 引脚
	OSCI	XTAL	-	晶体/谐振器的时钟输入
	ERCin	AN	-	外部 RC 输入引脚
P66~P67	P66~P67	ST	CMOS	具有可编程开漏、上拉和引脚变化唤醒功能的双向 I/O 引脚
VDD	VDD	电源	-	电源
VSS	VSS	电源	-	地面

 

图例： ST：施密特触发器输入 CMOS：CMOS 输出 AN：模拟引脚 XTAL：晶体/谐振器的振荡引脚

 EM78P173N 功能框图 

封装说明

14-引线塑料双列直插式封装 (PDIP) — 300 mil

B-1a EM78P173N 14 引脚 PDIP 封装类型

功能说明

6.1 操作寄存器
6.1.1R0（间接寻址寄存器）
R0 不是物理实现的寄存器。 它用作间接寻址指针。 任何使用 R0 作为指针的指令实际上都会访问 RAM 选择寄存器 (R4) 所指向的数据。
6.1.2R1（定时器时钟/计数器）
 由外部信号边沿增加，由TE 位（CONT-4）通过TCC 引脚定义，或由指令周期时钟增加。
 与任何其他寄存器一样可写和可读。
 通过重置 PAB (CONT-3) 定义。
∎ 如果 PAB 位 (CONT-3) 复位，则预分频器分配给 TCC。
∎ 预分频计数器的内容只有在 TCC 寄存器被写入一个值时才会被清除。
6.1.3R2（程序计数器和堆栈）
∎ 根据设备类型，R2 和硬件堆栈为 10 位宽。 其结构如下图所示。

 当ICE300N尝试模拟EM78P173N的堆叠时，当模拟堆叠超过5层时，模拟结果将与EM78P173N不一致。
 配置结构生成1024×13 位的片上OTP ROM 地址到相关的编程指令代码。一个程序页长 1024 个字。
R2 在复位状态下设置为全“0”。

“JMP”指令允许直接加载程序计数器的低 10 位。因此，“JMP”允许 PC 转到页面内的任何位置。
“CALL”指令加载PC的低10位，然后PC+1被压入堆栈。因此，子程序入口地址可以位于页面内的任何位置。
"RET" ("RETLk", "RETI") 指令将顶层堆栈的内容加载到程序计数器中。
“ADD R2,A”允许在当前PC上增加一个相对地址，PC的第9位和第10位会逐渐增加。
“MOV R2,A”允许从“A”寄存器加载一个地址到PC的低8位，PC的第9和第10位（A8~A9）保持不变。
任何写入 R2 的指令（“ADD R2,A”除外）（例如，“MOV R2, A”、“BC R2, 6”等）都会导致 PC 的第 9 位及以上位保持不变。
∎ 所有指令都是单指令周期（fclk/2 或 fclk/4），除了会改变 R2 内容的指令。这样的指令将需要多一个指令周期。

质量保证和可靠性

测试类别	测试条件	备注
可焊性	焊料温度 = 245 ±5°C，使用松香型助焊剂保持 5 秒直至塞子	–
前提条件	步骤 1：TCT，65°C（15 分钟）~150°C（15 分钟），10 个循环	SMD IC（如SOP、QFP、SOJ等）
	第 2 步：在 125°C 下烘烤，TD（耐力）= 24 小时
	第 3 步：在 30°C/60% 下浸泡，TD（耐力）= 192 小时
	第 4 步：IR 流 3 个周期 (Pkg 厚度 ³ 2.5mm 或 包装体积 ³ 350 mm3 225   5°C) (Pkg 厚度 & 2.5 毫米或 包装体积   350 mm3 240   5°C)
温度循环测试	-65°C (15 min) ~ 150°C (15 min), 200 个循环	–
压力锅测试	TA = 121°C，RH = 100%，压力 = 2 atm，TD（耐力）= 96 小时	–
高温/高湿测试	TA = 85°C , RH = 85%, TD (耐力) = 168 , 500 小时	–
高温储存寿命	TA = 150°C，TD（耐力）= 500, 1000 小时	–
高温工作寿命	TA = 125°C，VCC = 最大值。工作电压，TD（耐力）= 168, 500, 1000 hrs	–
闩锁	TA = 25°C，VCC = 最大值。工作电压，800mA/40V	–
ESD (HBM)	TA = 25°C, ³∣± 4KV∣	IP_ND,OP_ND,IO_ND IP_NS,OP_NS,IO_NS IP_PD,OP_PD,IO_PD,IP_PS,OP_PS,IO_PS,VDD-VSS(+),VDD_VSS (-) 模式
ESD (MM)	TA = 25°C，³ ∣± 400V∣

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