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概述
NY8A051F是以EPROM作为记忆体的 8 位元微控制器,专为多IO产品的应用而设计,例如遥控器、风扇/灯光控制或是游乐器周边等等。采用CMOS制程并同时提供客户低成本、高性能等显著优势。 NY8A051F核心建立在RISC精简指令集架构可以很容易地做编辑和控制,共有 55 条指令。
除了少数指令需要 2 个时序,大多数指令都是 1 个时序即能完成,可以让使用者轻松地以程式控制完成不同的应用。因此非常适合各种中低记忆容量但又复杂的应用。
NY8A051F 广泛应用,逐高电子提供九齐单片机NY8A051F 开发设计的技术方案,8位单片机系列打造小家电智能开发方案,深耕核心技术,支持单片机定制开发应对小家电消费市场的多元化需求
在I/O的资源方面,NY8A051F有 6 根弹性的双向I/O脚,每个I/O脚都有单独的暂存器控制为输入或输出脚。而且每一
个I/O脚位都有附加的程式控制功能如上拉或下拉电阻或开漏极(Open-Drain) 输出。此外针对红外线摇控的产品方
面,NY8A051F内建了可选择频率的红外载波发射口。
NY8A051F有两组计时器,可用系统频率当作一般的计时的应用或者从外部讯号触发来计数。另外NY8A051F提供 1
组 8 位元解析度的PWM输出或者蜂鸣器输出,可用来驱动马达、LED、或蜂鸣器等等。
NY8A051F采用双时钟机制,高速振荡或者低速振荡都由内部RC振荡输入。在双时钟机制下,NY8A051F可选择多
种工作模式如正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待机模式(Standby mode) 与睡眠模式(Halt mode)可节省
电力消耗延长电池寿命。
在省电的模式下如待机模式(Standby mode)与睡眠模式(Halt mode)中,有多种事件可以触发中断唤醒NY8A051F进
入正常操作模式(Normal) 或 慢速模式(Slow mode) 来处理突发事件。
宽广的工作电压:
2.0V ~ 5.5V @系统频率≦8MHz。
2.2V ~ 5.5V @系统频率>8MHz。
宽广的工作温度:-40°C ~ 85°C。
高达 ± 5KV 的ESD。
内建 11 阶准确的低电压侦测电路(LVD) 。
1Kx14 bits EPROM。
48 bytes SRAM。
6 根可分别单独控制输入输出方向的I/O脚(GPIO)、PB[5:0]。
PB[3:0]可选择输入时使用内建上拉及下拉电阻。
输入有三种组态可选(TTL/CMOS/Without Schmitt) 。
PB[3]内建上拉电阻 80K。
PB[5:0]可选择上拉电阻或开漏极输出(Open-Drain)。
所有I/O脚输出可选择小灌电流(Small Sink Current)或一般灌电流(Normal Sink Current)。
所有I/O脚输出可选择小推电流(Small Drive Current)或一般推电流(Normal Drive Current),除PB3 外。
NY8A051F8 层程式堆栈(Stack)
存取资料有直接或间接定址模式。
一组 8 位元上数计时器(Timer0)包含可程式化的频率预除线路。
一组 8 位元下数计时器(Timer1)可选重复载入或连续下数计时。
一个 8 位元的脉冲宽度调变输出(PWM1)。
一个蜂鸣器输出(BZ1)。
38/57KHz红外线载波频率可供选择,同时载波之极性也可以根据数据作选择。
内建上电复位电路(POR)。
内建低压复位功能(LVR)。
内建看门狗计时(WDT),可由程式韧体控制开关。
双时钟机制,系统可以随时切换高速振荡或者低速振荡。
高速振荡: I_HRC (1~20MHz内部高速RC振荡)
低速振荡: I_LRC (内部 32KHz低速RC振荡)
四种工作模式可随系统需求调整电流消耗:正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待机模式(Standbymode) 与 睡眠模式(Halt mode)。
六种硬体中断:
Timer0 溢位中断。
Timer1 借位中断。
WDT 中断。
PB 输入状态改变中断。
外部中断输入。
低电压侦测中断。
NY8A051F在待机模式(Standby mode)下的六种唤醒中断:
Timer0 溢位中断。
Timer1 借位中断。
WDT 中断。
PB 输入状态改变中断。
外部中断输入。
低电压侦测中断。
NY8A051F在睡眠模式(Halt mode)下的三种唤醒中断:
WDT 中断。
PB 输入状态改变中断。
外部中断输入。
框图
引脚分配 NY8A051F提供三种封装类型SOP8、DIP8和SOT23-6
记忆组织 NY8A051F存储器分为两类:
一类是程序存储器,
一类是数据存储器。
程序存储器 NY8A051F 的程序存储空间为 1K 字。因此,程序计数器(PC)是 10 位宽的为了寻址程序存储器的任何位置。
程序存储器的一些位置被保留作为中断入口。上电复位向量位于 0x000。软件中断向量位于 0x001。
内部和外部硬件中断向量位于在 0x008。 NY8A051F 提供指令 CALL、GOTOA、CALLA 来寻址程序空间的 256 位置。
NY8A051F 提供指令 GOTO 到程序空间的地址 512 位置。
NY8A051F 也提供说明 LCALL 和 LGOTO 寻址程序空间的任何位置。当调用或中断发生时,下一个 ROM 地址被写入栈顶,当 RET、RETIA 或 RETIE指令被执行,栈顶数据被读取并加载到PC。
NY8A051F 程序 ROM 地址 0x3FE~0x3FF 为保留空间,如果用户试图在这些空间中写代码地址会得到意想不到的错误函数。 NY8A051F程序ROM地址0x00E~0x00F为预置滚动码,可正常释放使用
程序存储器地址映射
NY8A051F 提供两种中断:
一种是软件中断,另一种是硬件中断。
软件中断是由执行指令INT引起的。
有6个硬件中断: Timer0 溢出中断。 Timer1 下溢中断。 WDT 超时中断。 PB 输入变化中断。
外部中断.. LVD中断 GIE 是全局中断使能标志。必须为 1 才能启用硬件中断功能。 GIE 可以通过 ENI 设置 DISI 指令清零。
执行完指令 INT 后,无论 GIE 置位还是清零,下一条指令都会从地址中取出 0x001。同时,GIE 会被 NY8A051F 自动清为 0。
这将防止嵌套中断从发生。软件中断的中断服务程序的最后一条指令必须是RETIE。执行该指令的执行会将 GIE 设置为 1 并返回原始执行顺序。
当发生任何硬件中断时,中断标志寄存器 INTF 的相应位将被设置为 1. 在固件向该位写入 0 之前,该位不会被清除。
因此用户可以获得哪个事件的信息通过轮询寄存器 INTF 导致硬件中断。注意,只有当对应的中断使能位寄存器INTE设置为1,将读取相应的中断标志。而如果对应的中断位使能寄存器INTE置1,GIE也置1,硬件中断发生,下一条指令执行从 0x008 获取。同时,寄存器位 GIE 会被 NY8A051F 自动清零。
如果用户想实现嵌套中断,ENI指令可以作为中断服务的第一条指令例程将 GIE 再次设置为 1 并允许其他中断事件再次中断 NY8A051F。
操作说明 RETIE 必须是中断服务程序的最后一条指令,它将设置 GIE 为 1 并返回原始执行顺序。需要注意的是,ENI 指令不能放在 RETIE 指令之前,因为 ENI 指令在中断服务程序中会触发嵌套中断,但RETIE会在之后清除内部中断处理跳出ISR,因此可能会错误清除中断标志
NY8A051F 包装尺寸 8.1 6 针塑料 SOT23-6 (63 mil)