应广科技PMS154G 8bit OTP IO 型单片机,最大电压不能超过 5.5V,否则可能损坏 IC,上电复位(Power-On Reset)时,VDD 必须先超过 VPOR 电压,MCU 才会进入开机状态

整理编辑:逐高电子技术开发部 / 日期:2024-6-18

PMS154B 和 PMS154G 主要差异表

项目 功能 PMS154B PMS154G
1 工作电压范围   2.2V~5.5V 1.8V~5.5V
2 11-bit PWM  一组:

PWMG0
三组:

PWMG0,PWMG1&PWMG2
3 比较器边缘 未开放 代码选项

 

单片机特点
1.1. 特性
不建议使用于 AC 阻容降压供电或有高 EFT 要求的应用。应广不对使用于此类应用而不达安规要求负责
工作温度范围:-40°C ~ 85°C


1.2. 系统功能
2KW OTP 程序存储器
128 字节数据存储器
一个硬件 16 位定时器
两个 8 位定时器(可作为 PWM 生成器)
三个 11 位硬件 PWM 生成器(PWMG0,PWMG1 & PWMG2)
提供一个硬件比较器
14 个 IO 引脚,有可选的上拉电阻
3 组不同的驱动电流 IO,可应对不同的应用需求
可选择的 IO 驱动能力(普通或低选项)
每个 IO 引脚都可设定为唤醒功能
内建 1/2 VDD LCD 偏置电压生成器,可支持最大 4X10 点阵的 LCD 屏
时钟模式:内部高频振荡器(IHRC),内部低频振荡器(ILRC),外部晶体震荡(EOSC)
每个能唤醒的 IO:支持两种可选的唤醒速度:正常和快速
8 段 LVR 复位设定:4.0V, 3.5V, 3.0V, 2.75V, 2.5V, 2.2V, 2.0V, 1.8V
两个外部中断输入引脚


1.3. CPU 特点
工作模式:单一处理单元的工作模式
86 个强大指令
绝大部分指令都是单周期 (1T)指令
可程序设定的堆栈指针和堆栈深度
数据存取支持直接和间接寻址模式,用数据存储器即可當作间接寻址模式的数据指针(index pointer)
IO 地址以及存储地址空间互相独立

器件电气特性

绝对最大值
电源电压 ………………………………..... 1.8V ~ 5.5V
* 最大电压不能超过 5.5V,否则可能损坏 IC。
输入电压 ………………………………….. -0.3V ~ VDD + 0.3V
工作温度 ………………..………………… -40°C ~ 85°C
储藏温度 ……………………………..…… -50°C ~ 125°C
节点温度 ……………………………..…… 150°C

开机流程

开机时,POR(上电复位)是用于复位 PMS154G;开机时间可选快开机或者普通模式。快速开机的时间是
45 个 ILRC 时钟周期,正常开机的开机时间是 3000 个 ILRC 时钟周期。不管哪种开机模式,用户必须确保上电后
电源电压稳定,开机时间 tSBP,如图 1 所示。
注意,上电复位(Power-On Reset)时,VDD 必须先超过 VPOR 电压,MCU 才会进入开机状态。

 

 

使用 ICE 时
仿真 PMS154G 功能时注意事项:
(1) 建议使用 5S-I-S01/2(B)仿真器。
(2) 用 5S-I-S01/2(B)仿真时,请注意以下几点:
用 5S-I-S01/2(B)仿真时,不支持 NADD/COMP 指令
用 5S-I-S01/2(B)仿真时,不支持系统时钟 SYSCLK=ILRC/16
用 5S-I-S01/2(B)仿真时,不支持 misc.4 动态设定(只能固定为 0 或 1)
用 5S-I-S01/2(B)仿真时,不支持 TM2 和 TM3 的 GPCRS 功能
用 5S-I-S01/2(B)仿真时,当 GPCS 选择 Output 到 PA0 输出时,PA3 输出功能也会受影响
5S-I-S01/2(B)仿真器的 ILRC 频率与实际 IC 不同,且未经校准,其频率范围大约在 34K~38KHz
仿真 PWM 波形时,建议用户在程序


PMS154G8bit OTP IO 型单片机烧录方法

请使用 PDK5S-P-003Bx PDK3S-P-002 进行烧录,旧版本烧录器不支持 PMS154G 的烧录。
PMS154G 的烧录脚为 PA3,PA4,PA5,PA6,VDD,GND 这 6 只引脚。
跳线连接: 请按照烧录器软件内的说明连接跳线

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