应广科技官网公布PMS152E 和 PMS152/PGS152 主要差异表PMS152E,8 位 OTP IO 类型单片机的V2.0版PDF开发文档,在使用 IC 前，请务必认真阅读 PMS152E 相关的 APN,不建议使用于 AC 阻容降压供电或有高 EFT 要求的应用

关键词:PMS152E 8位OTP单片机数据手册：LPWM生成器、IHRC校准与省电模式详解,LPWM 生成器、比较器、Timer2 计数器、Timer3 计数器、16位计数器

1. 功能
1.1. 特性
不建议使用于 AC 阻容降压供电或有高 EFT 要求的应用。应广不对使用于此类应用而不达安规要求负责
工作温度范围：-40°C ~ 85°C
1.2. 系统特性
1.5KW OTP 程序内存
96 字节数据存储器
一个硬件 16 位计数器
两个 8 位硬件 PWM 生成器 Timer2/Timer3，Timer2/Timer3 还配置 NILRC 振荡器，它的频率比 ILRC 更慢，
适合做更省电的唤醒时钟

一组可设三路 11 位 SuLED (Super LED)PWM 生成器和计数器 LPWMG0/LPWMG1/LPWMG2
提供一个硬件比较器
6 个 IO 引脚并带有上拉/下拉电阻选项
Bandgap 电路提供 1.2V Bandgap 电压
时钟源：内部高频 RC 振荡器(IHRC)，内部低频 RC 振荡器(ILRC)
14 段 LVR 复位设定：4.5V, 4.0V, 3.75V, 3.5V, 3.3V, 3.15V, 3.0V, 2.7V, 2.5V, 2.4V, 2.3V, 2.2V, 2.1V, 2.0V
两个可选的外部中断引脚
支持低功耗(NILRC)定时唤醒 stopsys

1.3. CPU 特性
单一处理单元工作模式
提供 82 个有效指令
大部分都是 1T（单周期）指令
可程序设定的堆栈指针和堆栈深度（使用 2 bytes SRAM 作为一层堆栈）
数据存取支持直接和间接寻址模式
用数据存储器即可当作间接寻址模式的数据指针(index pointer)
IO 地址以及存储地址空间互相独立

PMS152E 和 PMS152/PGS152 主要差异表

项目	功能	PMS152E	PMS152	PGS152
1	工作电压范围	2.0~5.5V	1.8~5.5V	1.8~5.5V
2	输入选项	上拉 / 下拉	仅上拉	上拉 / 下拉
3.	PA5 模式	正常 10	开漏输出	正常 IO
4	烧录器	5S-P-003 或以上	5S-P-003 或以上	5S-P-003 或以上
5	IO 驱动电流(mA)	18 13	7/30 7/14 4	40/50 5/10
6	PWM 类型	LPWM	LPWM	LPWM
7	ROM(word)	1.5K	1.25K	1.5K
8	RAM(byte)	96	80	128
9	IO(max)	6	14	8
10	EEPROM (byte)			128
11	NILRC	支持	不支持	不支持
12	时钟源	IHRC/ILRC	IHRC/ILRC/EOSC	IHRC/ILRC/EOSC

IO 引脚的使用和设定
(1) IO 作为数字输入时
IO 作为数字输入时，Vih 与 Vil 的准位，会随着电压与温度变化，请遵守 Vih 的最小值，Vil 的最大值
规范
内部上拉电阻值将随着电压、温度与引脚电压而变动，并非为固定值
(2) IO 作为数字输入和打开唤醒功能
设置 IO 为输入
用 PADIER 寄存器，将对应的位设为 1
(3) PA5 设置为 PRSTB 输入引脚
设定 PA5 作输入
设定 CLKMD.0=1 来启用 PA5 作为 PRSTB 输入引脚
(4) PA5 作为输入并通过长导线连接至按键或者开关
必需在 PA5 与长导线中间串接 >33Ω
应尽量避免使用 PA5 作为输入

使用 ICE
请使用 5S-I-S01/2(B)外挂仿真板 5S-I-TB002 对 PMS152E 进行仿真。参考如下图片：

5S-P-003 烧录 PMS152E 方法

使用 5S-P-003 烧录 PMS152E 的所有封装都需要特殊转档，接下来以 PMS152E-S08B 的烧录为例，
其他封装需对应修改“package setting”界面和 Jumper7 跳线方法即可。
1. PDK 转档
IDE 连接烧录器后点击 convert to package，打开待烧 PDK 进入 package setting 页面，在 package 选
项选择带有[P003]后缀的封装，勾选 O/S test only program pin，确认勾选 VDD/PA5 swap 选项，确认 IC
脚位信息，保存并使用新生成的 PDK 文件。