PGS134应广单片机8bit MCU带12bit ADC&EEPROM,KW 程序储存器,256 Bytes 数据存储器(128*16),对所有带唤醒功能的IO,都支持两种可选择地唤醒速度

整理编辑:逐高电子技术开发部 / 日期:2024-1-17

PGS134应广单片机系统特性

1. 4KW 程序储存器
2. 512 Bytes EEPROM
3. 256 Bytes 数据存储器(128*16)
4. 一个16位定时器
5. 两个8位定时器(可做为PWM产生器)
6. 三个11位PWM生成器(PWMG0,PWMG1,PWMG2)
7. 提供一个比较器
8. Band-gap 电路提供1.2V参考电压
9. 最高可提供14通道的12位ADC,其中一个来自于内部band-gap参考电压或者0.25*VDD
10. ADC 参考高电压:外部输入, 内部VDD, Band-gap 1.2V, 1.6V, 2.0V, 2.4V, 3.0V, 4.0V
11. 支持乘法指令 (1T 8x8)
12. 22 个IO 引脚带有上拉及下拉电阻选项
13. 提供两种不同的IO驱动能力以满足不同的应用需求
  (1) PB4,PB7驱动/灌电流= 30mA/35mA (Strong) and 13mA/17mA (Normal)
  (2) 其他 IO 驱动/灌电流 = 11mA/(13 or 20) mA
14. 每个IO 引脚都可设定唤醒功能
15. 内建 1/2 VDD LCD 偏置电压生成器,可支持最大 4x17 点阵的 LCD屏幕
16. 时钟源:IHRC,ILRC及EOSC(XTAL)
17. 对所有带唤醒功能的IO,都支持两种可选择地唤醒速度:正常唤醒与快速唤醒
18. 八段LVR 复位电压设定: 4.0V, 3.5V, 3.0V, 2.7V, 2.5V, 2.2V, 2.0V, 1.8V
19. 两组依Code Option 选择的外部中断引脚
   
CPU 特性
1. 8bit 高性能RISC CPU
2. 提供98 个有效指令
3. 1T(单周期)指令
4. 可程序设定的堆栈指针和堆栈深度
5. 数据存取支持直接和间接寻址模式,

 

PGS134应广单片机系统特性

 

系统概述和方框图
PGS134 系列是一款带 12bit ADC,以 MTP 为程序基础的 CMOS 8-bit 微处理器。它运用 RISC 的架构并且
所有的指令架构的执行周期都是一个指令周期,只有少部分指令需要两个指令周期。
内部最多达 4KW MTP 程序存储器、512 字节 EEPROM 以及 256 字节数据存储器,还有多达 14 通道 12 位
分辨率的 ADC,其中一个通道是带有多个内部参考电压可供选择。PGS134 同时提供 6 个硬件计数器:一个 16
位的硬件计数器,两个 8 位 PWM 计数器,和三个 11 位 PWM 计数器。另外,PGS134 还提供一个硬件比较器和
驱动 LCD 的 1/2 VDD 偏置电压。

系统概述和方框图

 

引脚功能说明

直流交流电气特性

 

符号 描述 最小值 典型值 最大值 单位 条件(Ta=25℃)
VDD 工作电压 2.2* 5.0 5.5 V #受限于LVR公差
LVR% 低电压复位公差 5   5 %  
fsys 系统时钟(CLK)*=
HRC/2
HRC/4
IHRC/8
ILRC
0
0
0
82K 8M
4M
2M
Hz Voo ≥3.5V
Voo≥2.5V
Voo ≥2.2V
Vop=5.0V
Peycle EEPROM烧录次数 100K     Cycle  
Pread EEPROM读取电压 2.2=   VDD V VDD电压
Ppgm EEPROM擦除/写入电压 2.2=   VDo V #Vpo电压
VPOR 上电复位电压   2.0*     ±受限于LVR公差
loP 工作电流   0.6
80
  mA
uA
fsrs=IHRC/16=1MIPS@5.0V
fsvs=ILRC=82KHz@3.3V
IPD 掉电模式下电流
(使用stopsys命令)
  0.9
0.5
  uA
uA
fsrs=0Hz,Vpp=5.0V
fsys=0Hz,Voo =3.3V
lPs 省电模式下电流
(使用stopexe命令)
  4.0   uA Vpo=5.0V;fsys=ILRC
只启用ILRC模块
VL 输入低电压 0   0.2 Vp V  
VIH 输入高电压 0.7 VoD   VDD V  
loL O输出灌电流(可通过Code Option"PB4_PB7_Drive"切换PB4/PB7电流
PB4,PB7 (Normal
PB4,PB7 (Strong
PA0-4,PB2,PB5-6
PA5-7,PB0-1,PB3,PC0-5
  24
40
25
15
  mA Voo=5.0V,Vou=0.5V
loH O输出驱动电流
PB4,PB7 (Normal)
PB4,PB7 (Strong
Other lOs
  17
32
14
  mA Voo=5.0V,Voh=4.5V
ViN 输入电压 0.3   Vop +0.3 V  
INJ(PIN 引脚输入电流     1 mA VDD+0.3兰VN兰-0.3
RPH 上拉电阻   62   Vpp =5.0V
VBG Bandgap参考电压 1.145* 1.20* 1.255* V Vpp =2.2V~5.5V
-40℃
fiHRC 校准后IHRC频率 15.76* 16* 16.24* MHz 25°C,Voo =2.2V~5.5V
15.20* 16* 16.80* Voo =2.2V~5.5V
40℃
tiNT 中断脉冲宽度 30     ns Voo=5.0V

 

烧录方法

请使用 5S-P-003(B)进行烧录。3S-P-002 以及之前的烧录器皆不支持 PGS134 的烧录。
l PGS134 的烧录脚为 PA4,PA5,PA6,VDD,GND 这 5 只引脚。
l 当合封(MCP)或在板烧录时,关于电压与电流的特别注意事项:
(1) PA5 (VPP) 可能高于 5.5V。
(2) VDD 可能高于 5.5V,且其最大电流可能到达 20mA。
(3) 其他烧录引脚(GND 除外)与 VDD 相同。
(4) 当用户使用 MCP 或在板烧录时,用户需要确认,外围电路或元件不会被上述电压所破坏或限制上述电
压的产生。


重要提示:
(1) 如在 handler 上对 IC 进行烧录,请务必按照 APN004 及 APN011 的指示进行。
(2) 为对抗烧录时的杂讯干扰,请于烧录时在分选机连接 IC 连接器一端的 VDD 和 GND 之间连接 0.01uF
电容。但切忌连接标值 0.01uF 以上的电容,以免影响普通烧录模式的运行。
请用户依据实际情况选择下述烧录模式。


普通烧录模式
Jumper 连接:可依照烧录器软件上的说明,连接 jumper 即可。请参考烧录器“5S-P-003”的用户手册,
了解当使用 5S-P-003(B) 烧录时使用的 JP7 跳线方式。
注意:除了 ICVPP(PA5)需要通过 JP7 跳线与 IC 的 PA5 短接外, ICVPP2(PA3)也必须与 IC 的 PA5 短接。
例如,PGS134-SOP16A 在烧录器上的 JP7 跳线信号连接图,如下所示:

在板烧录模式
所谓在板烧录,是指 IC 及其他周边电路及组件,皆已经焊接到 PCB 上,并对 IC 进行烧录的情况。在板
烧录需要使用 5S-P-003 上五根引线:ICPCK(PA4)、ICPDA(PA6)、VDD、GND、ICVPP(PA5) 。

图 23 中的‘☆’可代表电容或电阻。用于隔离烧录引线和其他电路。电阻应≧10KΩ,电容应≦220pF。
注意:
l 一般来说,在板烧录应使用限压烧录模式。请参考在限压烧录模式的详细说明。
l PCB 上的 VDD 与 GND 之间不可连接有 5.0V 或以下的稳压二极管或其他钳制 5.0V 产生的电路或
元件。
l PCB 上的 VDD 与 GND 之间不可连接有标值 500uF 或以上的电容器。
l 一般来说,用于烧录讯号的 PA4,PA5 及 PA6 引脚,不能作为强输出脚。

自供电模式下的在板烧录
PGS134 同样支持由客户电路板供电的方式进行在板烧录。想要使用此功能需在烧录文件设定”On-board
Program w/ Self-Power”, 可在烧录器软件 To Package 的选单中设置。或是在原代码中以命令的方式加入封装
参数设置中,详细操作可参考烧录器使用说明书。
烧录器将在烧录前侦测客户电路板上的 VDD 电压。所以请保证电路板上的 VDD 电压高于 2.5V,应用板上
的 VDD 电压若低于 2.5V 烧录器将会显示错误”Find a diff. IC.”。 其余与烧录器供电的在板烧录模式相同。
Converter PDK to Package:
勾选自供电 ISP 选项时,若 CodeOption PAC.5 设为 Enable 时,当 PA5 输出低,烧录可能会损坏 IC。
因此 PA5 设置为 0utput 时,可支持板上自供电的 ISP Mode,但不建议使用。


使用 ICE

仿真 PGS134 请使用 5S-I-S01/2(B)外挂仿真板 5S-I-GB001,参考如下图片:

使用 ICE

仿真时请注意以下事项:
(1) 关于仿真时序
l 仿真时,尤其是仿真 EEPROM 和 PxPL 相关功能时,5S-I-S01/2(B)会和仿真板 5S-I-GB001 进行通信,
所以仿真时许会略慢于实际 IC,主要影响以下寄存器配置
EERL/EERMC/STEER/LDEER/MISC2/INTRQ/INTRQ2/PAPL/PBPL/PCPL/LPWMGxC/LPWMGxDTH
/LPWMGxDTL /LPWMGCLK/LPWMBCUBH/LPWMCUBL 等


(2) 关于仿真电压
l 仿真时,受仿真板工作电压影响,建议仿真电压≥2.5V
(3) 其他注意事项
l 5S-I-S01/2(B)仿真时,不支持指令 NMOV/SWAP/NADD/COMP 的 RAM 运算。
l 5S-I-S01/2(B)仿真时,不支持 SYSCLK=ILRC/16。
l 5S-I-S01/2(B)仿真时,不支持 misc.4 动态设定(只能固定为 0 或 1)。
l 5S-I-S01/2(B)仿真时,不支持 Tm2.gpcrs/Tm3.gpcrs 功能。

应广单片机技术资料

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