PMS150G应广单片机在编程期间在PA5上使用较低的电压,但在VCC上使用比PMS150C更高的电压,PMS150G 可以在1.8V下运行而 PMS150C 至少需要2.0V

PMS15B/PMS150G 系列8 位 OTP IO 类型单片机使用说明

通用 OTP 系列
不建议使用于AC 阻容降压供电或有高EFT要求之应用
工作温度范围： -40°C ~ 85°C

系列	程序存储器	数据存储器(byte	最大IO数量
PMS150G	1KW	64	6
PMS15B	0.5KW	64	6

PMS150G 与 PMS150C 几乎相同

差异：
在编程期间，PMS150G 在 PA5 上使用较低的电压，但在 VCC 上使用比 PMS150C 更高的电压。
当使用官方 Padauk 编程器进行编程时，PMS150G 需要比 PMS150C (PDK3S-P002) 更新的最低硬件版本 (PDK5S-P003)。
PMS150G 可以在 1.8V 下运行，而 PMS150C 至少需要 2.0V。
PMS150G 在约 60 kHz 频率下运行时需要更多功率（22 µA 与 13 µA）。
与 PMS150C 相比，PMS150G 可以在 I/O 线上驱动和吸收更多电流。
PMS150G 从通电到启动需要更多的时间。
PMS150G 的最大时钟为 2 Mhz，而 PMS150C 的最大时钟为 8 Mhz

系統特性

1. 1KW OTP 程序储存器
2. 64 Bytes 数据储存器
3. 一个16位定时器
4. 一个8位定时器(可做为PWM产生器)
5. 一个通用比较器
6. 每个IO 引脚都可设定唤醒功能
7. 六个带输入上拉/下拉电阻IO 引脚
8. 时钟源：内部高频震荡器，内部低频震荡器
9. 八段LVR 可选:4.0V, 3.5V, 3.0V, 2.75V, 2.5V, 2.2V, 2.0V, 1.8V
10. 一个外部中断引脚

CPU 特性

1. 单一处理单元工作模式
2. 提供79 个有效指令
3. 1T(单周期)指令
4. 可程序设定的堆栈指针和堆栈深度
5. 数据存取支持直接和间接寻址模式,用数据存储器即可当作间接寻址模式的数据指针(index pointer)
6. 独立的IO 地址以及储存地址空间

PMS150G CPU 特性应用读写例子

PMS15B/PMS150G 系列8 位 OTP IO 类型单片机读写例子,由于您的 PMS150G 具有额外的出厂价值@0x3f5你应该排除这个词以及
更改==> .exclude_code_start = 0x3F5，
那么它不应该抱怨“非空白”ic。

@0068 第1700章 1700
@0069 1000 // 添加 A，0x00
@006a 1001 // 添加 A，0x01
@006b 1002 // 添加 A，0x02
@006c 1003 // 添加 A，0x03
@006d 1004 // 添加 A，0x04
@006e 1005 // 添加 A，0x05
@006F 1006 // 添加 A，0x06
@0070 1007 // 添加 A，0x07
@0071 1008 // 添加 A，0x08
@0072 1009 // 添加 A，0x09
@0073 100a // 添加 A，0x0A
@0074 100b // 添加 A，0x0B
@0075 100c // 添加 A，0x0C
@0076 100d // 添加 A，0x0D
@0077 100e // 添加 A，0x0E
@0078 100f // 添加 A，0x0F
@0079 1010 // 添加 A，0x10
@007A 1011 // 添加 A，0x11
@007b 1012 // 添加 A，0x12
@007c 1013 // 添加 A，0x13
@007D 1014 // 添加 A，0x14
@007e 1015 // 添加 A，0x15
@007f 1016 // 添加 A，0x16
@0080 1017 // 添加 A，0x17
@0081 1018 // 添加 A，0x18
@0082 1019 // 添加 A，0x19
@0083 101a // ADD A, 0x1A
LA 查看OTP at 150G at 0x080 正确数据“1017” 读取数据“1A42” ........

Screenshot from 2021-04-01 10-52-59

使用以下设置和命令将某些内容写入 PMS150G

二进制文件适用于 PMS150C，因为包含文件中没有 PMS150G 的此类设置

{ .name = "PMS150G",
.otpid = 0x2539,
.id12bit = 0x639,
.type = FPDK_IC_OTP1_2,
.addressbits = 12,
.codebits = 13,
.codewords = 0x400,
.ramsize = 0x40,
.exclude_code_start = 0x3F6,
.exclude_code_end = 0x400,
.vdd_cmd_read = 2.5,
.vpp_cmd_read = 5.5,
.vdd_read_hv = 2.5,
.vpp_read_hv = 5.5,
.vdd_cmd_write = 4.5,
.vpp_cmd_write = 8.0,
.vdd_write_hv = 6.5,
.vpp_write_hv = 8.0,
.write_block_size = 2,
.write_block_clock_groups = 1,
.write_block_clocks_per_group = 8,
},

引脚缓冲区硬件图

PMS15B/PMS150G 所有 IO 引脚都可以透过数据寄存器(pa)，控制寄存器(pac)，弱上拉电阻(paph)和弱下
拉电阻(papl)设定成输入或输出，每一 IO 引脚都可以独立配置成不同的功能；所有这些引脚设置有施密特触发
输入缓冲器和 CMOS 输出驱动电位水平。当这些引脚为输出低电位时，弱上拉/下拉电阻会自动关闭。当上/下
拉电阻同时打开时，下拉电阻会自动关闭。如果要读取端口上的电位状态，一定要先设置成输入模式；在输出
模式下，读取到的数据是数据寄存器的值。

pa.0	pac.0	paph.0	papl.0	描述
X	0	0	0	输入，没有弱上拉/下拉电阻
X	0	1	0	输入，有弱上拉电阻
X	0	0	1	输入，有弱下拉电阻
X	0	1	1	输入，仅有弱上拉电阻
0	1	X	X	输出低电位，没有弱上拉/下拉电阻
1	1	X	X	输出高电位，没有弱上拉/下拉电阻

PMS150G 烧录需知

适用范围：PMS150G
1. 前言
针对 PMS150G 芯片在半自动机台烧录时，其烧录过程有可能会受到半自动机台或是其他工
作杂讯的干扰，进而使烧录良率下降、甚至出现 IC 被烧坏的情况，本 APN 提供改善对策。

PMS150G的烧录，必须要使用PDK5S-P-003或者PDK5S-P-003B，对于SOP8的标准IC，烧录方式和PMS150C-S08完全一致。但是对于SOT23-6的封装，烧录就显得要麻烦一些。原因是PDK5S-P-003或者PDK5S-P-003B，在烧录时需要对IC做管脚测试。在没有做任何申明的情况下，烧录器也是不知道具体需要烧录哪一颗IC，这样会造成只连接对那几个烧录引脚的情况下，是有很大机会烧录不了IC的。

2. 说明和改善对策
以 PMS150G-S08 为例，为提升 IC 批量烧录的稳定性及可靠性，烧录前，请在 Writer 背后
JP2 的 PA5 引脚上串一个 100Ω 的电阻。连接方式参考图 1：